QBT-OAS 离轴磁控溅射系统
产品概况
QBT-OAS 通过将极限真空度优于10-10 Torr的超高真空环境与独特的离轴溅射几何构型相结合，能够在原子尺度上精准调控薄膜生长：超高真空环境将背景杂质气体降至最低，确保了薄膜的高纯度与优异晶体质量；而离轴设计使衬底避开高能粒子的直接轰击，有效抑制了薄膜损伤与成分偏差，并赋予沉积粒子适中的表面迁移能，从而生长出缺陷密度极低、界面原子级锐利的外延薄膜及复杂异质结。系统同时集成了高稳定性超高真空磁控靶枪、水冷旋转样品台及带预处理功能的进样室等模块，兼具出色的工艺重复性、多靶材扩展能力和高产出效率，为超导量子计算、自旋电子学、低损伤沉积工艺等前沿研究领域提供了理想的技术平台。
技术优势
进样腔极限真空：≤5E-8 Torr
溅射腔极限真空：≤5E-10 Torr
镀膜不均匀性：4英寸晶圆方阻均匀性优于±3%（2寸阴极）
溅射沉积温度：标配水冷，可选深冷、加热、偏压等功能
晶圆尺寸：最大兼容4英寸晶圆，并向下兼容
磁控溅射阴极：最多可集成6只2英寸超高真空磁控溅射阴极
