工业型设备
研发型设备
ALD
Plasma Batch ALD
PBATCH 批次等离子体ALD
Thermal Batch ALD
CBATCH 100s 批次热ALD
CBATCH 300s 批次热ALD
CVD
MPCVD 金刚石CVD
Epitaxy
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统
Powder ALD/CVD
KG 工业级粉末ALD
SCA 工业级粉末CVD
Single Wafer ALD
QBT-A 双腔室高真空等离子体ALD
MINI 科研型桌式ALD
Sputter
单阴极垂直溅射系列
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统
多阴极垂直溅射系列
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
多阴极共聚焦溅射系列
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
定制系列(MP L)
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统
Evaporator
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速镀膜系统
Powder ALD
GM 研发型粉末ALD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD
应用领域
APPLICATIONS
先进光显
半导体
新能源
前沿器件应用
韫茂碳化硅外延 CVD 设备、金刚石 MPCVD 设备、PECVD,分别服务于第三代、第四代以及硅基集成电路半导体市场,依托自主研发的 20 余项核心专利技术,公司在关键工艺模块创新、反应腔体流场设计、原位监测系统等领域形成技术壁垒,在高频、功率器件、MEMS、内存芯片领域展现出色的性能和稳定性,推动了新一代半导体材料和器件的研发和应用。随着全球半导体产业向宽禁带材料转型,韫茂持续深化与头部客户的战略合作,通过定制化设备解决方案加速新一代半导体材料及器件的产业化进程。
相关产品
SICE-Y6/8的SiC外延工艺兼容6英寸和8英寸,可实现P&N型掺杂。反应腔采用水平热壁式设计,自有五路进气喷嘴和多元混气设计,形成稳定均匀流场;反应腔采用感应线圈加热,提供均匀温场,从而确保优异工艺指标。
可实现高质量金刚石单晶、多晶薄膜生长,用于核心的第四代宽禁带半导体器件制造。