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ALD
原子层沉积（atomic layer deposition,ALD）,是一种特殊的化学气相沉积技术，是通过将气相前驱体脉冲 交替通入反应腔室并在沉积基体表面发生化学吸附反应形成薄膜的一种方法具有优异的三维共型性，均匀性 精确的纳米级膜厚控制等特点。
以经典的三甲基铝与水反应生成氧化铝为例：
半反应a：-OH∗ + Al(CH3)3(g ) → - O - Al(CH3)2∗ + CH4(g)
半反应b：- O - Al(CH3)2 + 2H2O(g) → - O - Al(OH)2∗ + 2CH4(g)
总反应：2Al(CH3)3 + 3H2O → Al2O3 + 6CH4
ALD作为一种新型的化学气相包覆手段，能够实现对被包覆材料不规则表面的完全赋型包覆它具有如下特点：
线性可控的包覆层厚度，0.1~0.2nm/cycle；
包覆层均匀且致密；
低温生长，部分薄膜可室温下生长；
可多组分叠层结构生长；
包覆材料选择多样性。
