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ALD
原子层沉积（atomic layer deposition,ALD）,是一种特殊的化学气相沉积技术，是通过将气相前驱体脉冲 交替通入反应腔室并在沉积基体表面发生化学吸附反应形成薄膜的一种方法具有优异的三维共型性，均匀性 精确的纳米级膜厚控制等特点。
以经典的三甲基铝与水反应生成氧化铝为例：
半反应a：-OH∗ + Al(CH3)3(g ) → - O - Al(CH3)2∗ + CH4(g)
半反应b：- O - Al(CH3)2 + 2H2O(g) → - O - Al(OH)2∗ + 2CH4(g)
总反应：2Al(CH3)3 + 3H2O → Al2O3 + 6CH4
ALD作为一种新型的化学气相包覆手段，能够实现对被包覆材料不规则表面的完全赋型包覆它具有如下特点：
线性可控的包覆层厚度，0.1~0.2nm/cycle；
包覆层均匀且致密；
低温生长，部分薄膜可室温下生长；
可多组分叠层结构生长；
包覆材料选择多样性。
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Single Wafer ALD
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高真空等离子体增强原子层沉积系统QBT-A，是国内首家适用于高端研发及生产制造的HV-PEALD。QBT-A主要应用于高质量ALD薄膜沉积制备（氧化物、氮化物、金属单质），高真空设计降低系统泄露率，配备无氧陶瓷等离子发生器、气体纯化器、4路双管源瓶。它能够实现超低射频电路损耗、高深宽比TSV 填充、超低氧含量。
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