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SCA 工业级粉末CVD

韫茂科技产品概况

进行硅沉积/碳包覆，可实现高沉积均匀性与高包覆完整性，具备优异的批次稳定性与重复性

韫茂科技技术优势

·3EM半导体级别安全管控进行流化床硅沉积/碳包覆

·可实现高沉积均与性与高包覆完整性进行流化床多孔碳物理活化

·大度提高产能有效降低生产成本优异的批次稳定性与重复性

·可实现批量化大产能均匀的造孔有效装料容积达300-1800L

·样品最大装载量：25-100KG 多孔碳（可根据需求定制）

·可通入气源：SiH4,C2H2,N2,NH3,H2O,O2等

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产品分类

工业型设备

ALD

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Plasma Batch ALD

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PBATCH 批次等离子体ALD PBATCH-A300 批次等离子体ALD（EFEM可选） Multi Pbatch 批次等离子体ALD

Thermal Batch ALD

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CBATCH 100s 批次热ALD CBATCH 300s 批次热ALD

12 inch ALD

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QBT-A 300 CLUSTER 高真空等离子体 ALD 集群系统

CVD

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MPCVD 金刚石CVD

Epitaxy

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SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统

Powder ALD/CVD

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KG 工业级粉末ALD

SCA 工业级粉末CVD

PVD

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QBT-J 300 超高真空互联多腔体互联约瑟夫森结制造系统

QBT-P300 Cluster 超高真空磁控溅射集群系统

研发型设备

ALD

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Single Wafer ALD

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QBT-ADS 双腔高真空双面镀膜PEALD设备 QBT-A
双腔室高真空等离子体ALD MINI 科研型桌式ALD

Sputter

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单阴极垂直溅射系列

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PVD100
双腔室高真空磁控溅射系统 QBT-P
双腔室超高真空磁控溅射系统 QBT-P L3
三腔室超高真空磁控溅射系统

多阴极垂直溅射系列

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QBT-MPV
双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统

多阴极共聚焦溅射系列

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QBT-MPC
双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统 QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统

定制系列（MP L）

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QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统

Evaporator

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QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

QBT-I 双腔室高速超高真空镀膜系统

PECVD

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QBT-C200 高真空等离子体增强化学气相沉积系统

Powder ALD

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GM 研发型粉末ALD

QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

应用领域

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硅碳负极材料

FAQ

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SCA的温度均匀性如何？

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采用多温区控制设计，可优化温度均匀性，温区控温误差小于1度。

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硅碳负极生产的均匀性如何？

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优化分布板设计，可有效减小气泡尺寸，增大气固反应效率，确保硅碳沉积均匀性

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SCA的使用安全性如何？

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设备设计基于半导体级设计标准以及防爆设计标准，设备自动化程度高，可最大限度保证设备安全运行。

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PBATCH 批次等离子体ALD
PBATCH-A300 批次等离子体ALD（EFEM可选）
Multi Pbatch 批次等离子体ALD
CBATCH 100s 批次热ALD
CBATCH 300s 批次热ALD
QBT-A 300 CLUSTER 高真空等离子体 ALD 集群系统
MPCVD 金刚石CVD
QBT-ADS 双腔高真空双面镀膜PEALD设备
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统
KG 工业级粉末ALD
SCA 工业级粉末CVD
QBT-J 300 超高真空互联多腔体互联约瑟夫森结制造系统
QBT-P300 Cluster 超高真空磁控溅射集群系统
QBT-A 双腔室高真空等离子体ALD
MINI 科研型桌式ALD
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-J compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速超高真空镀膜系统
GM 研发型粉末ALD
QBT-C200 高真空等离子体增强化学气相沉积系统
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

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