QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
产品概况
QBT-MPC 包含两个超高真空腔体, 进样腔和磁控溅射腔，配备全自动化人机操作界面。该系统配备了多个溅射靶枪，并且可进行原位倾斜，用于共溅射工艺。QBT-MPC 是最先进的溅射系统，可以用于多个材料领域，例如自旋电子器件、拓扑材料、相变材料、超导材料等。
技术优势
工艺腔极限真空：≤3E-9 Torr
工艺温度：0-1000°C（无氧环境）
晶圆尺寸：最大支持12寸晶圆，并且向下兼容
均匀性：8英寸晶圆，不均匀性<±3%（去边5 mm）
溅射电源：2x1000W 直流电源（可以选射频电源，按需定制）
镀膜均匀性：薄膜电阻均匀性NU%<±3% (在8英寸晶圆上去除边缘的5mm）
磁控靶枪：最多配置12 × 2 英寸靶枪, 5×4英寸靶枪, 7×3 英寸靶枪 (按需定制)
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