QBT-A 双腔室高真空等离子体ALD

用于低氧含量的薄膜沉积，主要应用于 TiN 沉积，例如射频电路超低损耗和 TSV 填充工艺。其独特的设计最大限度地减少了工艺腔室中的氧含量。

QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统

具备超高真空背景环境，全自动操作，可实现高质量薄膜沉积，目前韫茂QBT-P磁控溅射系列可生长出高质量α相钽膜，在高温和常温下都可以得到高质量的钽膜，钽膜的Tc超过4.25 K，并且剩余电阻比大于6。 用韫茂QBT-P 系列制备的Ta可实现低损耗的超导电路制备，单光子品质因数超过100万，且对应的量子比特相干时间超过250μs

QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

采用线性级联技术，集成了进样/预处理、离子铣、蒸发以及氧化四个腔室。整套系统全自动运行，操作简单，易于维护，并且采用抓取传送方式，减少了颗粒物的产生。基于QBT-J系列，客户可研发出高质量的超导器件，在诸多领域有广泛的应用前景。

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

标准化的镀膜系统，超高真空环境可以实现高质量的薄膜沉积：金属、介电材料、光学薄膜、磁性薄膜等。样品操作包括倾斜和旋转，或Z轴移动和旋转，从而能够制备三维结构。

QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

用于微纳加工，粉末或极片包覆。

QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统

QBT-P L3 包含三个工艺腔体，比 QBT-P 多一个溅射腔，能够制备多层结构，如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al，甚至是 α-Ta/TaOx/α-Ta。该系统同样兼容基于种子层的工艺。