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SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统

韫茂科技产品概况

SICE-Y6/8的SiC外延工艺兼容6英寸和8英寸，可实现P&N型掺杂。反应腔采用水平热壁式设计，自有五路进气喷嘴和多元混气设计，形成稳定均匀流场；反应腔采用感应线圈加热，提供均匀温场，从而确保优异工艺指标。

韫茂科技技术优势

热壁感应加热系统，温场均匀

优异的产品指标，提高器件性能

多种混气机制，提供多元工艺需求

高产出、低生产成本，投资回报最大化

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产品分类

工业型设备

ALD

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Plasma Batch ALD

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PBATCH 批次等离子体ALD

Thermal Batch ALD

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CBATCH 100s 批次热ALD CBATCH 300s 批次热ALD

CVD

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MPCVD 金刚石CVD

Epitaxy

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SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统

Powder ALD/CVD

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KG 工业级粉末ALD

SCA 工业级粉末CVD

研发型设备

ALD

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Single Wafer ALD

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QBT-A
双腔室高真空等离子体ALD MINI 科研型桌式ALD

Sputter

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单阴极垂直溅射系列

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PVD100
双腔室高真空磁控溅射系统 QBT-P
双腔室超高真空磁控溅射系统 QBT-P L3
三腔室超高真空磁控溅射系统

多阴极垂直溅射系列

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QBT-MPV
双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统

多阴极共聚焦溅射系列

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QBT-MPC
双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

定制系列（MP L）

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QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统

Evaporator

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QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

QBT-I 双腔室高速镀膜系统

Powder ALD

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GM 研发型粉末ALD

QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

应用领域

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电力电子领域

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轨道交通领域

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数据中心

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PBATCH 批次等离子体ALD
CBATCH 100s 批次热ALD
CBATCH 300s 批次热ALD
MPCVD 金刚石CVD
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统
KG 工业级粉末ALD
SCA 工业级粉末CVD
QBT-A 双腔室高真空等离子体ALD
MINI 科研型桌式ALD
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速镀膜系统
GM 研发型粉末ALD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

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