QBT-J compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统
产品概况
QBT-J compact相比四腔体QBT-J，QBT-J compact 机型核心优势在于设备功能完整且结构高度紧凑，能够有效节约洁净室占地空间，提升整机运行可靠性，优化工艺流程、有效提高效率和产能。预处理腔室具备进样、离子束刻蚀、氧化等功能。相较竞品，整机采用超高真空设计，更能保障超导量子芯片约瑟夫森结等对界面超高洁净度、参数一致性要求严苛的精密器件加工场景。
技术优势
包含2个超高真空腔体：进样腔（离子束刻蚀，氧化）、电子束蒸发腔
样品尺寸：最大支持4英寸晶圆，兼容碎片
样品台温度：室温 - 900ºC 或液氮冷却
进样腔极限真空：≤9E-9 Torr
电子束蒸发腔极限真空：≤5E-9 Torr
镀膜均匀性：1σ < 2% (4英寸晶圆，去边5mm，200nm 铝）
手动放样，全自动精准传输，支持双倾角镀膜
功能完整，结构紧凑，占地面积小，性价比高，整机稳定性高。
全自动工艺，出厂自带程序，支持定制
