QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
产品概况
标准化的镀膜系统，超高真空环境可以实现高质量的薄膜沉积：金属、介电材料、光学薄膜、磁性薄膜等。样品操作包括倾斜和旋转，或Z轴移动和旋转，从而能够制备三维结构。
技术优势
超高真空腔体：有两个腔室，进样腔和蒸发腔
传输：全自动样品传输
人机界面：全自动化人机操作界面
安全：工业标准安全互锁，报警，EMO
晶圆尺寸：最大支持8英寸晶圆，并且向下兼容
镀膜均匀性：8英寸晶圆，镀膜不均匀性<±2% （去边 5mm）
基板操控能力：可实现180度倾斜及360度旋转，0.1度的精准控制，加热RT-600ºC，或者升降，自转，可选配水冷、深冷(-70℃)或者液氮冷却
应用领域
FAQ
QBT-E的氧化物薄膜厚度均匀性为多少？
Ti/SiO2 8inch膜厚均匀性小于3%
QBT-E的进样腔和蒸发腔的极限真空分别是多少？
Loadlock极限真空<9E-9Torr；蒸发腔:极限真空<3E-9Torr
