QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
产品概况
QBT-MPV 为QBT-P的升级版系统。较于QBT-P，QBT-MPV 在一个溅射腔中可最多包含4个靶枪（按需），可进行多层工艺，例如Nb/Al-AlOx/Nb, Al/AlOx/Al, 或者 α-Ta/TaOx/α-Ta。该系统同样兼容基于种子层的工艺。
技术优势
外形尺寸(L x W x H)：2600*1600*2200 mm
工艺腔极限真空：≤3E-9 Torr
工艺温度：0-900°C或晶圆冷却
样品尺寸：最大标配4 英寸晶圆，兼容碎片
均匀性：4英寸晶圆，不均匀性<±5% （去边5 mm）
磁控靶枪：4个4~6英寸超高真空磁控靶枪（可定制）
溅射电源：1KW 直流电源 或 750W 射频电源及全自动匹配器（按需定制）
镀膜均匀性：薄膜电阻均匀性NU%<±3% (在3英寸晶圆上去除边缘的5mm）
应用领域
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