PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
产品概况
PVD-100 包含两个超高真空腔体：进样腔和磁控溅射腔，全自动化人机操作界面，采用单靶枪垂直向下溅射方案，支持射频和直流电源，可用于沉积金属或非金属材料。
技术优势
基板加热：RT-900ºC
晶圆尺寸：最大支持12寸晶圆，并向下兼容
排气速率：从ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
镀膜均匀性：8英寸晶圆：不均匀性<±5% （去边5 mm）
预处理功能：薄膜表面钝化，射频等离子体清洗，300℃高温除气
磁控溅射：直流（DC）或射频（RF）电源, 基板与靶材距离连续可调
离子束刻蚀，刻蚀不均匀性：8英寸晶圆，刻蚀不均匀性<±5% （去边 5mm）
高真空腔体：2个高真空腔体,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空<5E-8 Torr
人机界面：全自动化人机操作界面
相关产品
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
具备超高真空背景环境，全自动操作，可实现高质量薄膜沉积，目前韫茂QBT-P磁控溅射系列可生长出高质量α相钽膜，在高温和常温下都可以得到高质量的钽膜，钽膜的Tc超过4.25 K，并且剩余电阻比大于6。 用韫茂QBT-P 系列制备的Ta可实现低损耗的超导电路制备，单光子品质因数超过100万，且对应的量子比特相干时间超过250μs
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-P L3 包含三个工艺腔体。它比 QBT-P 多一个溅射腔，能够制备多层结构，如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al，甚至是 α-Ta/TaOx/α-Ta。该系统同样兼容基于种子层的工艺。
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
QBT-MPV 为QBT-P的升级版系统。较于QBT-P，QBT-MPV在一个溅射腔中可最多包含4个靶枪（按需），可进行多层工艺，例如Nb/Al-AlOx/Nb, Al/AlOx/Al, 或者 α-Ta/TaOx/α-Ta。该系统同样兼容基于种子层的工艺。
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 包含两个超高真空腔体, 进样腔和磁控溅射腔，配备全自动化人机操作界面。该系统配备了多个溅射靶枪，并且可进行原位倾斜，用于共聚焦溅射工艺。QBT-MPC 是最先进的溅射系统，可以用于多个材料领域，例如自旋电子器件、拓扑材料、相变材料、超导材料等。
