QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

韫茂科技产品概况

用于微纳加工，粉末或极片包覆。

韫茂科技技术优势

腔体:双腔体设计（1个硅片PEALD腔室，1个粉末ALD腔室），每个腔体独立控制，双倍产出

等离子体:最大3kW RF自匹配电源

最大基板尺寸:Ф150mm (可定制）

高精准样品加热控制:RT-300±1ºC

臭氧发生器:可选配，生产效率15g/h

人机界面:全自动化人机操作界面

前驱体:最大可包括3组等离子体反应气体 5组液态或固态反应前驱体

产品分类

工业型设备

ALD

Plasma Batch ALD

PBATCH 批次等离子体ALD

Thermal Batch ALD

CBATCH 100s 批次热ALD CBATCH 300s 批次热ALD

CVD

MPCVD 金刚石CVD

Epitaxy

SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统

Powder ALD/CVD

KG 工业级粉末ALD

SCA 工业级粉末CVD

研发型设备

ALD

Single Wafer ALD

QBT-A
双腔室高真空等离子体ALD MINI 科研型桌式ALD

Sputter

单阴极垂直溅射系列

PVD100
双腔室高真空磁控溅射系统 QBT-P
双腔室超高真空磁控溅射系统 QBT-P L3
三腔室超高真空磁控溅射系统

多阴极垂直溅射系列

QBT-MPV
双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统

多阴极共聚焦溅射系列

QBT-MPC
双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

定制系列（MP L）

QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统

Evaporator

QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

QBT-I 双腔室高速镀膜系统

Powder ALD

GM 研发型粉末ALD

QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

科研应用代表论文

Constructing a High-Energy and Durable Single-Crystal NCM811 Cathode for All-Solid-State Batteries by a Surface Engineering Strategy

关键词：LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2, high-nickel cathode, all-solid-state battery, atomic layer deposition, lithium niobium oxides

日期：25 August,2021

Simultaneous Enhancement of Interfacial Stability and Kinetics of Single-Crystal LiNi0.6Mn0.2Co0.2O2 through Optimized Surface Coating and Doping

关键词：Simultaneous Enhancement of Interfacial Stability and Kinetics of Single-Crystal LiNi0.6Mn0.2Co0.2O2 through Optimized Surface Coating and Doping

日期：25 November,2020

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QBT-A 双腔室高真空等离子体ALD

MINI 科研型桌式ALD

PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统

QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统

QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统

QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统

QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统

QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

QBT-I 双腔室高速镀膜系统

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