SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD - 专为电力电子与轨道交通设计的第三代半导体装备，碳化硅外延炉

SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD

韫茂科技产品概况

SICE-Y8 可实现6/8英寸第三代半导体材料碳化硅外延生长，用于宽禁带功率器件的制造。

韫茂科技技术优势

热壁感应加热系统，温场均匀

优异的产品指标，提高器件性能

多种混气机制，提供多元工艺需求

高产出、低生产成本，投资回报最大化

产品分类

工业型设备

ALD

Plasma Batch ALD

PBATCH-350S 批次等离子体ALD PBATCH-A300 批次等离子体ALD（EFEM） Multi PBATCH 批次等离子体ALD（EFEM可选）

Thermal Batch ALD

CBATCH 100X 批次热ALD（单腔） CBATCH 300X 批次热ALD（多腔）

12 inch ALD

QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统

CVD

MPCVD 金刚石微波等离子体CVD

Epitaxy

SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD

Powder ALD/CVD

KG 工业型粉末ALD

SCA 工业型硅碳负极流化床CVD

PVD

QBT-J 300 Cluster 8/12英寸双倾角集群系统

QBT-P300 Cluster 8/12英寸磁控溅射集群系统

研发型设备

ALD

Single Wafer ALD

QBT-A
单面高真空等离子体ALD TEM 桌面式ALD QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备

Sputter

单阴极垂直溅射系列

PVD100
双腔室高真空磁控溅射系统 QBT-P
双腔室超高真空磁控溅射系统 QBT-PL3
三腔室超高真空磁控溅射系统

多阴极垂直溅射系列

QBT-MPV
双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统

多阴极共聚焦溅射系列

QBT-MPC
双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统 QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统

离子束溅射系列

QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统

离轴溅射系列

QBT-OAS 离轴磁控溅射系统

定制系列（MP L）

QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统 QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

Evaporator

QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统

QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统

PECVD

QBT-C200 等离子体增强PECVD

Powder ALD

GM 研发型粉末ALD

QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

应用领域

电力电子领域：新能源汽车、直流充电桩、光伏发电、风力发电等

轨道交通领域：牵引变流器系统等

其他领域：大型服务器、数据中心、军工、航天、工业控制等

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PBATCH-350S 批次等离子体ALD

PBATCH-A300 批次等离子体ALD（EFEM）

Multi PBATCH 批次等离子体ALD（EFEM可选）

CBATCH 100X 批次热ALD（单腔）

CBATCH 300X 批次热ALD（多腔）

QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统

MPCVD 金刚石微波等离子体CVD

SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD

KG 工业型粉末ALD

SCA 工业型硅碳负极流化床CVD

QBT-J 300 Cluster 8/12英寸双倾角集群系统

QBT-P300 Cluster 8/12英寸磁控溅射集群系统

QBT-A 单面高真空等离子体ALD

TEM 桌面式ALD

QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备

PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统

QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统

QBT-PL3 三腔室超高真空磁控溅射系统

QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统

QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统

QBT-OAS 离轴磁控溅射系统

QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统

QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统

QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统

GM 研发型粉末ALD

QBT-C200 等离子体增强PECVD

QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

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