PBATCH-350S 批次等离子体ALD

PBATCH可实现低温高质量PEALD工艺，兼容热式ALD及等离子体增强ALD工艺，极佳的镀膜均匀性，实现原子级别的精确控制，批次性大产能结构设计，大幅提高ALD产能，降低客户使用成本。单位时间内的处理量超越传统PVD镀膜设备。

CBATCH 300X 批次热ALD（多腔）

CBATCH-300X是韫茂科技与国内头部三代半导体厂联合开发的多片多腔体批次式ALD，能够实现全自动、多片、多腔体、连续化生产，有效提高产品颗粒洁净度，产能，降低COO。批次热式ALD能够实现原子级别的精确控制，ALD沉积薄膜无针孔，质量高，可作为高K值介质层，金属层，封装层，电镀种子层及其他功能层应用， 广泛应用于Mini/Micro LED, 第三代半导体，以及集成电路制造等领域。

CBATCH 100X 批次热ALD（单腔）

CBATCH-100X 是用于4/6 inch LED 生产线的原沉积系统，该系统主要由工艺腔、运动控制系统和上下料平台组成，满足于图形化和平面蓝宝石衬底微纳器件氧化层封装镀膜的需求。其中工艺模块用于为基片进行工艺提供环境。

Multi PBATCH 批次等离子体ALD（EFEM可选）

Multi Pbatch设备可在极宽的温度窗口(50℃-300℃)内，实现高质量的等离子体增强原子层薄膜沉积工艺，并兼容纯热式原子层薄膜沉积工艺。可在4、6、8、12英寸硅晶圆、化合物晶圆、玻璃晶圆、玻璃镜片、有机高分子镜片、金属或陶瓷等材质的基底沉积高质量的薄膜。该设备具有极优的镀膜均匀性、重复性及可靠性，同时兼顾优异的产能、良率及成本控制。