QBT-A 单面高真空等离子体ALD

QBT-A 以超高真空（UHV）设计为核心技术亮点，是国内首家适用于高端研发及生产制造的高真空等离子体增强原子层沉积系统（HV-PEALD），大幅降低系统泄漏率，有效抑制杂质混入，从源头保障薄膜纯度。配备无氧陶瓷等离子体发生器，搭配客户提供的气体纯化器，能显著降低氮化物薄膜中氧杂质含量，满足高端器件对薄膜质量的严苛要求。

QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统

具备超高真空背景环境，全自动操作，可实现高质量薄膜沉积，目前韫茂QBT-P磁控溅射系列可生长出高质量α相钽膜，在高温和常温下都可以得到高质量的钽膜，钽膜的Tc超过4.25 K，并且剩余电阻比大于6。 用韫茂QBT-P 系列制备的Ta可实现低损耗的超导电路制备，单光子品质因数超过100万，且对应的量子比特相干时间超过250μs

QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-J采用线性级联技术，集成了进样/预处理、离子铣、蒸发以及氧化四个腔室。专业设计的机械结构可实现低摩擦的晶圆传输和运动。整套系统全自动运行，操作简单，易于维护，并且采用抓取传送方式，减少了颗粒物的产生。

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

标准化的镀膜系统，超高真空环境可以实现高质量的薄膜沉积：金属( Ti, Al, In, Ta, Cr, Cu) 、氧化物（TiO2, Al2O3, Y2O3, SiO2) 、磁性薄膜( Fe , Co , Ni) 等。样品操作包括倾斜和旋转，或Z轴移动和旋转，从而能够制备三维结构。

QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

用于微纳加工，粉末或极片包覆。

QBT-PL3 三腔室超高真空磁控溅射系统

QBT-P L3 包含三个工艺腔体，用于制备多层结构，如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al，以及 α-Ta/TaOx/α-Ta。该系统同样兼容基于种子层的工艺。

QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统

QBT-MPV 为QBT-P的升级版系统。较于QBT-P，QBT-MPV 在一个溅射腔中可最多包含4个靶枪（按需），可进行多层工艺，例如Nb/Al-AlOx/Nb, Al/AlOx/Al, 或者 α-Ta/TaOx/α-Ta。该系统同样兼容基于种子层的工艺。

QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

QBT-MPC 主要用于高质量低微波损耗超导薄膜的生长，助力高性能超导量子芯片的研发，同时可用于超薄多层合金的磁性薄膜生长和高质量磁性隧道结的制备。

PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统

PVD-100 包含两个超高真空腔体：进样腔和磁控溅射腔，全自动化人机操作界面，采用单靶枪垂直向下溅射方案，支持射频和直流电源，可用于沉积金属或非金属材料。

QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统

QBT-I 是一款用于高速蒸镀铟柱的电子束蒸发系统。由于铟熔点较低，需要在低温下沉积，因此该系统配备深冷，可将样品冷却至-70℃，以此保证铟柱表面的光滑，并且配备快速晶振更换模块，可实现铟的连续沉积。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。

QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

QBT-MPL3可用于超导Ta / TiN / NbN / Al / Nb 等制备。

QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统

主要用于高质量低微波损耗超导薄膜的生长，助力高性能超导量子芯片的研发，同时可用于超薄多层合金的磁性薄膜生长和高质量磁性隧道结的制备。最后该产品所用小型靶材系列可帮助科研工作者在柔性衬底上生长高质量的ITO薄膜生长或者产业LED芯片制造过程中的光学薄膜生长。

QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备

QBT-ADS 采用双面镀膜专属设计，可实现晶圆样品双面镀，超导TSV同步均匀沉积，无需二次翻面操作，大幅提升生产效率与薄膜一致性，适配对双面薄膜性能均有严格要求的高端应用场景；同时搭载全自动传片系统，实现样品传输全程无人工干预，提升作业效率，从根本上避免人为操作带来的污染隐患。延续QBT-A的超高真空（UHV）设计，优化腔室密封结构，大幅降低系统泄漏率，有效抑制杂质混入，从源头保障薄膜纯度，尤其能显著降低氮化物超导薄膜中氧杂质含量，精准匹配高端器件对薄膜质量的严苛要求。

QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统

QBT-A300 Cluster 作为QBT-A系列升级产品，兼顾研发与量产双重需求,全面延续其成熟稳定的工艺性能，支持热法、PE两种模式，始终保持低氧含量薄膜沉积的核心优势。核心升级两大关键配置：一是引入超高真空传输平台，优化样品传输真空环境，隔离污染、降低杂质含量，强化氧杂质抑制，为高端薄膜制备提供可靠保障；二是搭载2 foup的Efem（前端模块）系统，大幅提升传输效率与自动化水平，实现多批次样品高效流转，适配中试及量产需求。

QBT-J 300 Cluster 8/12英寸双倾角集群系统

QBT-J 300 Cluster为符合半导体标准的超高真空多腔体互联系统，集成了设备前端模块、进样室、出样室、中央传输模块、预处理腔体、离子束刻蚀腔体、电子束蒸发腔体以及氧化腔体，整套系统配备人机交互系统，可以对接天车系统，采用FOUP进样，工艺过程可以全自动运行，同时满足低颗粒度工艺需求，制造高质量的约瑟夫森结器件。

QBT-P300 Cluster 8/12英寸磁控溅射集群系统

QBT-P300 Cluster 具备超高真空背景环境，全自动操作，可在高温和常温下实现高质量钽膜生长，钽膜的Tc超过4.25 K，剩余电阻比大于6，用于制备低损耗超导电路，单光子品质因数超过100万，且对应的量子比特相干时间超过250μs。

QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

QBT-MPL4 可进行全自动传样，具备高均匀性薄膜沉积，配备DC与RF电源，兼容导电与绝缘材料等多种材料；其进样腔配备等射频清洗、气体钝化、高温除气功能；工艺腔样品台配备加热与偏压功能；能够实现多层结构薄膜沉积。

QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-J Compact相比四腔体QBT-J，QBT-J Compact 机型核心优势在于设备功能完整且结构高度紧凑，能够有效节约洁净室占地空间，提升整机运行可靠性，优化工艺流程、有效提高效率和产能。预处理腔室具备进样、离子束刻蚀、氧化等功能。相较竞品，整机采用超高真空设计，更能保障超导量子芯片约瑟夫森结等对界面超高洁净度、参数一致性要求严苛的精密器件加工场景。

QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统

QBT-I 是一款紧凑型双腔室高速热蒸发镀铟系统。由于铟熔点低，为了兼顾铟柱表面平滑与侧壁形貌，工艺过程中衬底需要低温，系统可将样品冷却至 -20 ℃。该系统能够连续沉积厚度达 10 μm 的铟。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。

QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统

QBT-IBS 是一种在极高真空环境（通常优于E-9 Torr）下运行的先进薄膜沉积系统，其核心原理是利用惰性气体离子（如氩离子）在电场加速下轰击高纯度靶材，通过动量传递将靶材原子或分子溅射出来，并沉积在衬底上形成高质量薄膜。超高真空环境极大地减少了残留气体分子对溅射粒子的散射和污染，确保了沉积薄膜的高纯度、高致密度和优异的附着力，同时离子束的能量和束流大小可独立精确调控，使得薄膜的厚度、成分和微观结构具有高度的可控性和重复性。该技术特别适用于制备超晶格、多层膜以及氧化物、氮化物等化合物薄膜，在半导体器件、光学镀膜、磁性存储和超导材料等前沿科技领域具有不可替代的关键作用。

QBT-OAS 离轴磁控溅射系统

QBT-OAS 通过将极限真空度优于10-10 Torr的超高真空环境与独特的离轴溅射几何构型相结合，能够在原子尺度上精准调控薄膜生长：超高真空环境将背景杂质气体降至最低，确保了薄膜的高纯度与优异晶体质量；而离轴设计使衬底避开高能粒子的直接轰击，有效抑制了薄膜损伤与成分偏差，并赋予沉积粒子适中的表面迁移能，从而生长出缺陷密度极低、界面原子级锐利的外延薄膜及复杂异质结。系统同时集成了高稳定性超高真空磁控靶枪、水冷旋转样品台及带预处理功能的进样室等模块，兼具出色的工艺重复性、多靶材扩展能力和高产出效率，为超导量子计算、自旋电子学、低损伤沉积工艺等前沿研究领域提供了理想的技术平台。