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QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-J采用线性级联技术，集成了进样/预处理、离子铣、蒸发以及氧化四个腔室。专业设计的机械结构可实现低摩擦的晶圆传输和运动。整套系统全自动运行，操作简单，易于维护，并且采用抓取传送方式，减少了颗粒物的产生。
QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-J Compact相比四腔体QBT-J，QBT-J Compact 机型核心优势在于设备功能完整且结构高度紧凑，能够有效节约洁净室占地空间，提升整机运行可靠性，优化工艺流程、有效提高效率和产能。预处理腔室具备进样、离子束刻蚀、氧化等功能。相较竞品，整机采用超高真空设计，更能保障超导量子芯片约瑟夫森结等对界面超高洁净度、参数一致性要求严苛的精密器件加工场景。
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
标准化的镀膜系统，超高真空环境可以实现高质量的薄膜沉积：金属( Ti, Al, In, Ta, Cr, Cu) 、氧化物（TiO2, Al2O3, Y2O3, SiO2) 、磁性薄膜( Fe , Co , Ni) 等。样品操作包括倾斜和旋转，或Z轴移动和旋转，从而能够制备三维结构。
QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统
QBT-I 是一款用于高速蒸镀铟柱的电子束蒸发系统。由于铟熔点较低，需要在低温下沉积，因此该系统配备深冷，可将样品冷却至-70℃，以此保证铟柱表面的光滑，并且配备快速晶振更换模块，可实现铟的连续沉积。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。
QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统
QBT-I 是一款紧凑型双腔室高速热蒸发镀铟系统。由于铟熔点低，为了兼顾铟柱表面平滑与侧壁形貌，工艺过程中衬底需要低温，系统可将样品冷却至 -20 ℃。该系统能够连续沉积厚度达 10 μm 的铟。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。
