韫茂科技 韫茂科技 首页 > 产品 > 研发型设备 > Evaporator > QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

韫茂科技产品概况

标准化的镀膜系统,超高真空环境可以实现高质量的薄膜沉积:金属( Ti, Al, In, Ta, Cr, Cu) 、氧化物(TiO2, Al2O3, Y2O3, SiO2) 、磁性薄膜( Fe , Co , Ni) 等。样品操作包括倾斜和旋转,或Z轴移动和旋转,从而能够制备三维结构。

韫茂科技技术优势

超高真空腔体:有两个腔室,进样腔和蒸发腔

传输:全自动样品传输

人机界面:全自动化人机操作界面

安全:工业标准安全互锁,报警,EMO

晶圆尺寸:最大支持8英寸晶圆,并且向下兼容

镀膜均匀性:8英寸晶圆,镀膜不均匀性<±2% (去边 5mm)

基板操控能力:可实现180度倾斜及360度旋转,0.1度的精准控制,加热RT-600ºC,或者升降,自转,可选配水冷、深冷(-70℃)或者液氮冷却

韫茂科技
韫茂科技

产品分类

应用领域

韫茂科技

光学领域

韫茂科技

半导体

FAQ

韫茂科技 韫茂科技

QBT-E的氧化物薄膜厚度均匀性为多少?

韫茂科技 韫茂科技

Ti/SiO2 8inch膜厚均匀性小于3%

韫茂科技 韫茂科技

QBT-E的进样腔和蒸发腔的极限真空分别是多少?

韫茂科技 韫茂科技

Loadlock极限真空<9E-9Torr;蒸发腔:极限真空<3E-9Torr

下载中心

如需进一步了解该产品的更多详细信息,请填写下方表格,我们的销售团队将尽快与您联系。

请输入联系人

请输入正确的邮箱

请输入正确的手机号码

请输入您的单位

韫茂科技
PBATCH-350S 批次等离子体ALD
PBATCH-A300 批次等离子体ALD(EFEM)
Multi PBATCH 批次等离子体ALD(EFEM可选)
CBATCH 100X 批次热ALD(单腔)
CBATCH 300X 批次热ALD(多腔)
QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统
MPCVD 金刚石微波等离子体CVD
SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD
KG 工业型粉末ALD
SCA 工业型硅碳负极流化床CVD
QBT-J 300 Cluster 8/12英寸双倾角集群系统
QBT-P300 Cluster 8/12英寸磁控溅射集群系统
QBT-A 单面高真空等离子体ALD
TEM 桌面式ALD
QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-PL3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
QBT-OAS 离轴磁控溅射系统
QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统
QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统
QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统
GM 研发型粉末ALD
QBT-C200 等离子体增强PECVD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

请选择产品

韫茂科技

请输入验证码

请填写所有标有 * 的字段。 根据我们的数据处理政策,您所提交的信息仅供内部业务使用,未经许可不会共享或传播给第三方。

韫茂科技立即获取
提交成功
韫茂科技