工业型设备
研发型设备
ALD
Plasma Batch ALD
PBATCH-350S 批次等离子体ALD
PBATCH-A300 批次等离子体ALD（EFEM）
Multi PBATCH 批次等离子体ALD（EFEM可选）
Thermal Batch ALD
CBATCH 100X 批次热ALD（单腔）
CBATCH 300X 批次热ALD（多腔）
12 inch ALD
QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统
CVD
MPCVD 金刚石微波等离子体CVD
Epitaxy
SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD
Powder ALD/CVD
KG 工业型粉末ALD
SCA 工业型硅碳负极流化床CVD
PVD
QBT-J 300 Cluster 8/12英寸双倾角集群系统
QBT-P300 Cluster 8/12英寸磁控溅射集群系统
Single Wafer ALD
QBT-A 单面高真空等离子体ALD
QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备
TEM 桌面式ALD
Sputter
单阴极垂直溅射系列
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-PL3 三腔室超高真空磁控溅射系统
多阴极垂直溅射系列
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
多阴极共聚焦溅射系列
QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
离子束溅射系列
QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统
离轴溅射系列
QBT-OAS 离轴磁控溅射系统
定制系列（MP L）
QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
Evaporator
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统
QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统
PECVD
QBT-C200 等离子体增强PECVD
Powder ALD
GM 研发型粉末ALD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD
产品
韫茂——微纳加工研发首选
产品分类
多阴极共聚焦溅射系列 相关产品
QBT-MPC 主要用于高质量低微波损耗超导薄膜的生长，助力高性能超导量子芯片的研发，同时可用于超薄多层合金的磁性薄膜生长和高质量磁性隧道结的制备。
主要用于高质量低微波损耗超导薄膜的生长，助力高性能超导量子芯片的研发，同时可用于超薄多层合金的磁性薄膜生长和高质量磁性隧道结的制备。该产品所用小型靶材系列可帮助科研工作者在柔性衬底上生长高质量的ITO薄膜生长或者产业LED芯片制造过程中的光学薄膜生长。
