QBT-A 单面高真空等离子体ALD

QBT-A 以超高真空（UHV）设计为核心技术亮点，是国内首家适用于高端研发及生产制造的高真空等离子体增强原子层沉积系统（HV-PEALD），大幅降低系统泄漏率，有效抑制杂质混入，从源头保障薄膜纯度。配备无氧陶瓷等离子体发生器，搭配客户提供的气体纯化器，能显著降低氮化物薄膜中氧杂质含量，满足高端器件对薄膜质量的严苛要求。

SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD

SICE-Y8 可实现6/8英寸第三代半导体材料碳化硅外延生长，用于宽禁带功率器件的制造。

MPCVD 金刚石微波等离子体CVD

可实现高质量金刚石单晶、多晶薄膜生长，用于核心的第四代宽禁带半导体器件制造。

QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备

QBT-ADS 采用双面镀膜专属设计，可实现晶圆样品双面镀，超导TSV同步均匀沉积，无需二次翻面操作，大幅提升生产效率与薄膜一致性，适配对双面薄膜性能均有严格要求的高端应用场景；同时搭载全自动传片系统，实现样品传输全程无人工干预，提升作业效率，从根本上避免人为操作带来的污染隐患。延续QBT-A的超高真空（UHV）设计，优化腔室密封结构，大幅降低系统泄漏率，有效抑制杂质混入，从源头保障薄膜纯度，尤其能显著降低氮化物超导薄膜中氧杂质含量，精准匹配高端器件对薄膜质量的严苛要求。

QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统

QBT-A300 Cluster 作为QBT-A系列升级产品，兼顾研发与量产双重需求,全面延续其成熟稳定的工艺性能，支持热法、PE两种模式，始终保持低氧含量薄膜沉积的核心优势。核心升级两大关键配置：一是引入超高真空传输平台，优化样品传输真空环境，隔离污染、降低杂质含量，强化氧杂质抑制，为高端薄膜制备提供可靠保障；二是搭载2 foup的Efem（前端模块）系统，大幅提升传输效率与自动化水平，实现多批次样品高效流转，适配中试及量产需求。

QBT-C200 等离子体增强PECVD

QBT-C200是专为超导量子技术设备制备需求打造的高密度等离子体沉积专用设备，采用ICP-PECVD 技术，具有较高的等离子体浓度和较低的等离子体损伤的，适用于高质量、低损伤的薄膜沉积，核心适配超导量子器件中氮化硅（Si₃N₄）、氧化硅（SiO₂）关键介质薄膜的高精度、高稳定性、低缺陷沉积；可在半导体（硅及三五族化合物）、氧化硅等超导量子器件常用衬底上，高质量沉积 SiO₂、Si₃N₄、SiOxNy 等介质膜，兼顾非晶硅、微晶硅等薄膜制备能力，适配最大 8 吋晶圆 / 载片器，是超导量子器件核心介质层制备的关键工艺设备。 设备搭载 13.56MHz 平板感应耦合等离子体源，采用全自动阻抗匹配方案；加热模块配置氦气传热，温度控制范围覆盖室温至 + 400℃，可制备出应力范围 - 200MPa~50MPa（膜厚 1000~1500Å）的高质量低应力薄膜，薄膜片内不均匀性＜2%、片间不均匀性＜2%。设备配备全自动等离子体清洁工艺，且搭载终点检测（Endpoint）装置，保障工艺稳定性与清洁效果。