QBT-A 单面高真空等离子体ALD
产品概况
QBT-A 以超高真空（UHV）设计为核心技术亮点，是国内首家适用于高端研发及生产制造的高真空等离子体增强原子层沉积系统（HV-PEALD），大幅降低系统泄漏率，有效抑制杂质混入，从源头保障薄膜纯度。配备无氧陶瓷等离子体发生器，搭配客户提供的气体纯化器，能显著降低氮化物薄膜中氧杂质含量，满足高端器件对薄膜质量的严苛要求。
技术优势
搭载全自动传片系统，实现样品传输全程无人工干预
超低射频电路损耗、高深宽比TSV 填充、超低氧含量（<0.5%）
主要应用于低氧含量薄膜沉积，可高效制备:TiN（氮化钛）、NbN（氮化铌）等优质氮化物薄膜
应用领域
FAQ
QBT-A可以做哪些工艺？
TiN、SiN、AlN、NbN等氮化物、SiO2、Al2O3、HfO2、TiO2等氧化物、Mo、Cu
QBT-A可以做多大尺寸的wafer？
8寸及以下
QBT-A的氮化物薄膜含氧量可以做到多低？
配备分子泵，极限真空达5E-8torr以下，并配备气体纯化器，氮化物薄膜的氧量≤0.5%
QBT-A的PE-TiN常温电阻率可以做到多低？
30nm PE-TiN常温电阻率≤70μΩ-cm
QBT-A的NbN薄膜超导临界温度可以做到多少K?
20nm NbN薄膜的Tc可以做到14K
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